高PSRR的基准电压源的版图设计
日期：2024-11-12 作者：admin 来源： 浏览量：1033
来源时间：2022年6月
学生姓名: 王同
指导教师: 孙晓东
作品简介：
该作品采用中芯国际（SMIC）的0.18umCMOS工艺，设计一款高PSRR的基准电压源。增益能够到达91.6dB，相位裕度为87℃，带宽6MHz。温度范围为-40℃-120℃时的温度系数在不同工艺角下分别为：TT= 12.7 ppm /℃，SS=23.6ppm/℃，FF= 24ppm/℃。其中电源抑制比PSRR在低频100dB，1KHz@74.9dB。启动时间为0.1us，总体功耗为0.55746mW电源调整，率0.6%，稳定输出1.2V。
创新点：
该作品采用反馈的cascode层设计出具有较高的增益、较好的温度系数的基准电压源，其较高的PSRR和稳定性可以为电路供应高精度电压基准。
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